是目前电容器产品中最高阶的产品，固态电容的介电材料则为功能性导电高分子，能大幅提升产品的稳定度与安全性，它与液态铝质电解电容最大差别，在于所使用的阴极材料，过去铝质电解电容所使用的阴极材料是电解液，而固态电容则是导电性高分子聚合物材料，常见的导电性高分子聚合物有PPY,PEDH。固态电容备受Intel和主板厂商的重视，那么相较之前的电解电容来说，固态电容有何优点呢？贴片电容tdk储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000uF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的B43504或B43505)是较为常用的贴片电容tdk
是为了测试其中功能是否可以达到高值价值等原因1:瓷介电容（CT），廉价，容量小，主要用于低频电路。2：涤纶电容（CL），特点用途同上。3：独石电容（CC），很贵，容量小，性质稳定。一般用于高频电路。4：电解电容（CD），容量大，有正负极之分。主要用于电源电路，脉动电路。。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。贴片电容tdk薄膜电容的寿命也就是三两年，电好的产品也不会超出5年。而高压陶瓷电容器则不同，比方说帝科电容就公开承诺：按20年设计，至少保证使用10年贴片电容tdk
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。。2、高压陶瓷电容的内阻更小，这是由各自的构造特点决定的。高压陶瓷电容器的内阻很小，而薄膜电容器由于是采取卷绕方式，这样就造成内阻偏大。而这种偏大的内阻带来的另一负面影响就是，电容在反复充放电的过程中，内阻会继续变大，并且会在一定时候使电容在电路中失效。
贴片电容tdk3、额定电压(UR)：在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值贴片电容tdk5：云母电容（CY），耐压（250v-450v），容量小，很贵，体积大。用于通讯机重要部位。还有钽电容（CA），铌电容（CN），薄膜电容等等。2、容抗：电容对交流电呈现出的一各特殊的阻碍作用为容抗，频率与容抗成反比，频率越高容抗越小，因此电容具有通高频阴低频的特性。当频率一定时，容量与容抗成反比，容量越大容抗越小，容量越小容抗越大。当频率为0时，即直流电容容抗为无穷大。四、电容标称方法：。电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。
